삼성전자와 SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM) 실물을 국내에 처음으로 공개했다. 인공지능(AI) 메모리 주도권 탈환을 노리는 삼성은 ‘데이터 처리 속도’를, HBM 세계 1위 SK하이닉스는 ‘16단 적층’ 기술을 내세웠다. AI 메모리 시장의 새로운 승부처인 HBM4 경쟁이 본격화됐다.

삼성전자와 SK하이닉스는 22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제27회 반도체 대전(SEDEX 2025)에서 HBM4 실물을 나란히 공개했다. 양사 부스에는 HBM4를 직접 보려는 관람객들로 북적거렸다.

SK하이닉스가 코엑스에서 열린 ‘반도체 대전 2025’에서 HBM4를 공개했다. D램 16단 적층 구조를 내세우며 ‘메모리 적층 기술’을 강조했다. [연합뉴스]

SK하이닉스는 부스의 상당 면적을 HBM로 채웠다. HBM4를 구성하는 인터포저와 D램 베이스다이를 쌓은 형상의 거대한 조형물을 세워, HBM 대표주자임을 강조했다.

삼성전자가 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘반도체 대전(SEDEX) 2025’에서 HBM4를 공개했다. 최대 11Gbps의 입출력 속도를 내세우며 ‘속도 빠른 HBM’을 강조했다. [뉴시스]

삼성전자는 부스에 공개한 HBM4 스펙 공개 표에서 입출력(I/O) 속도를 ‘최대 11Gbps’라고 썼다. 이는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준과 SK하이닉스 HBM4(8Gbps)를 넘는 수치로 ‘속도 빠른 HBM’이라는 자신감을 드러냈다는 평가다. 또 메모리와 프로세서 간 데이터 전송 속도를 좌우하는 대역폭도 스택 당 최대 2.8TB/s라고 표기했다. 이 역시 SK하이닉스(2.0TB/s)를 웃돈다. 다만 D램을 쌓는 적층 기술에서는 SK하이닉스가 16단으로 삼성전자 12단을 앞섰다.

업계에 따르면 양사는 주요 고객사에 HBM4 샘플을 보낸 후 품질평가(퀄 테스트) 승인을 기다리고 있다. 현재는 5세대인 HBM3E이지만 내년부터 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘루빈’에 HBM4가 탑재됨에 따라 승부처가 6세대로 넘어간다. 추격 중인 삼성전자는 경쟁사보다 한 세대 앞선 기술인 10나노급 1c 공정으로 역전을 노리고 있다.

송재혁 사장

이날 SEDEX에선 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO)인 송재혁 사장이 ‘시너지를 통한 반도체 혁신’을 주제로 기조 강연 무대에 올랐다. 송 사장은 “삼성에서 29년간 반도체 개발을 맡으며 제가 느낀 혁신은 한 명의 똑똑한 천재가 아닌, 다양한 의견과 이견이 모여 이뤄졌다는 것”이라며 “경계를 뛰어넘는 협업이 중요하다”고 말했다.

송 사장은 “삼성전자는 세계적으로 D램 메모리, 로직 반도체, CMOS 이미지센서(CIS), 패키징까지 모두 가지고 있는 유일한 회사”라며 “한때는 ‘이 모든 걸 다 하는 건 너무 많은 부담이 아닌가’란 생각을 했다. 하지만 플래시 메모리를 (개발) 하던 직원이 로직(시스템반도체)에 가서 일하고, 로직을 하던 친구가 D램에 가서 일한다면 새로운 시너지를 낼 수 있을 것”이라고 말했다. 그러면서 “실제로 그렇게 일을 하고 있다”고 소개했다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 올해 2분기 HBM 시장 점유율은 출하량 기준 SK하이닉스 62%, 마이크론 21%, 삼성전자 17% 순이다. 카운터포인트리서치는 내년 HBM4 양산이 본격화되면 삼성전자의 점유율은 30% 이상 확대될 것으로 전망했다.

곽노정 대표

이날 오후 6시 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스 호텔에서는 제18회 반도체의 날 기념식도 열렸다. 반도체 분야 산학연 관계자 550여명이 참석한 가운데, 곽노정 SK하이닉스 대표가 고부가가치 메모리 개발을 통한 수출 확대 등 공로를 인정받아 금탑산업훈장을 받았다. 허성회 삼성전자 부사장과 박영수 솔브레인 대표는 각각 은탑산업훈장, 동탑산업훈장을 탔다. DB하이텍 김기용 상무, 한국알박 백충렬 상임고문, 심텍 오재성 전무에게는 산업포장이 돌아갔다.