SK키파운드리의 이번 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공해 서버 및 노트북용 전원관리 집적회로(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 충전기, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버(Gate driver) 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용 가능한 것이 특징이다. 또한 트리밍(Trimming)용 MTP(Multi-Time Programmable)/OTP(One-Time Programmable) 메모리, SRAM 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다.

SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 만족했으며, 고층절연막(Thick Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15,000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터(Isolator) 제품 설계도 가능하다.

SK키파운드리 측은 “3세대 0.18㎛ BCD 공정으로 쌓여온 대량 양산 경험과 고객의 높은 신뢰 수준을 바탕으로, 이번 4세대 0.18㎛ BCD공정이 모바일 디바이스의 배터리 수명 연장과 낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, 차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상을 통한 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다”고 밝혔다.

SK키파운드리 이동재 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며, "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.