중국 경쟁사에 삼성전자와 그 협력사의 반도체 국가핵심기술을 넘겨 국내 반도체 업계에 수조 원의 손해를 끼친 삼성전자 전직 부장 김모(57)씨가 1심에서 징역 7년과 벌금 2억원을 선고받고 법정구속됐다. 단일 기술 유출 사건으로는 역대 최대 형량이다.

서울중앙지법 형사합의25부(부장 지귀연)는 19일 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 등으로 기소된 김씨 외에도 함께 법정구속된 반도체 증착 장비업체 A사 전직 직원 방모(51)씨와 김모(45)씨에겐 각각 징역 2년 6개월, 징역 1년 6개월을 선고했다.

재판부는 이들이 A사를 포함한 피해 회사 3곳의 기술 자료를 몰래 빼돌려 자신들이 설립한 중국 반도체 회사에서 ALD(원자층 증착) 방식의 증착 공정이 가능한 퍼니스(열처리) 장비를 설계·제작한 혐의 대부분을 유죄로 판단했다. 특히 김씨는 2016년 삼성전자에서 중국의 D램 생산업체 창신메모리(CXMT)로 이직할 당시 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보 등 국가핵심기술을 유출한 혐의와 2022년 중국 자본의 투자를 받아 중국에 반도체 장비업체 ‘신카이’를 설립, 각 공정 분야 전문가를 모아 각자 회사에서 핵심 기술을 유출하도록 지시한 혐의가 인정됐다.

재판부는 “대한민국의 국가 산업 경쟁력에 큰 악영향을 줄 수 있는 중대범죄”라고 지적했다.

대법원 양형위원회는 지난해 3월 국가핵심기술의 국외 유출 범죄 양형 기준을 최대 징역 18년으로 늘리는 등 기술 유출 범죄 엄벌 기조를 이어가고 있다.